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Microchip推出最新SiC功率器件,具备得天独厚的栅氧化层防护本事

Microchip的SiC
MOSFET和SBD可以进一层频仍高效地成功开关操作,并透过各级其他耐用性测量试验,那对于保证产物的长久可信赖性至关心注重要。感应开关耐用性测量检验(该项测量检验旨在掂量雪崩情状下,即电压峰值超过器件的击穿电压,器件的滑坡和太早失效质量)证明,Microchip
SiC SBD品质比其余SiC双极型晶体管超过三成左右。别的,Microchip的SiC
MOSFET在性质方面相符巨惠同类成品,其全部出色的栅氧化层防护工夫和通道完整性,尽管在经历10万次重复UIS测验后,其参数还是能保持在寻常水平。

DPM-DIAG-SiC

市情商量和咨询集团IndustryARC提议,升高功率转变效用和最大限度地减弱功率损耗的渴求驱动了电力电子应用的滋长,使得宽带隙本征半导体本领(即基于SiC的零部件)有很大大概从开拓阶段转向商业阶段。电力转变的开采进取为基于碳化硅的电动小车充电设备打稳了根底,那推进减少电瓶充电周期并减少电瓶组的高资本。将SiC器件集成在车载(An on-board)充电机和DC-DC功率转变系统中,可实现越来越高的开关频率和更低的消耗。IndustryARC推断电动小车充电领域中的SiC市镇就要2024年事先以大致33%的速率拉长。

汽车、工业、太空和国防领域特别须要能升官系统效能、稳健性和功率密度的SiC功率产物。今日,Microchip
Technology
Inc.通过其分行Microsemi发布推出一文山会海SiC功率器件。该连串器件具备优秀的耐用性,以致宽带隙才干优势。它们将与Microchip种种单片机和宪章应用方案形成优势互补,插足Microchip不断扩展的SiC成品组合,满意电动汽车和别的大功率应用领域火速发展的集镇须要。

文章来源:中关村在线

美高森美下一代SiC MOSFET和新颖SiC
SBD在额定电流下具有高重复性的非钳位电子感应性按键(UIS)技能,无别的退化或故障。新型碳化硅(SiC)
MOSFET在大概每平方毫米10到15焦耳(J/cm2)的事态下可保持较高的UIS技能,并在3到5阿秒内保障稳健的窒碍珍惜功效。美高森美的SiC
SBD在低反向电流下具有平衡浪涌电流、正向电压、热阻和热容额定值,可裁减按钮损耗。其他,美高森美SiC
MOSFET和SiC SBD晶片能够在模块中配成对接收。

如欲领悟定价等更加的多消息,请联系Microchip的行销代表或中外授权承包商,或访谈Microsemi的SiC成品网址。如欲购买上述产物,请联系Microchip的授权中间商。

Microchip的SiC
MOSFET和SBD能够进一步频繁高效地产生开关操作,并由此各品级的耐用性测量试验,那对于维持成品的悠长可信性至关心珍贵要。感应开关耐用性测量试验注明,Microchip
SiC SBD品质比其余SiC双极型硅二极管凌驾十分四左右。

据领悟,致力于在功耗、安全、可信性和本性方面提供差异化本征半导体应用方案的超过经销商美高森美集团颁发提供下一代1200V
碳化硅(SiC) MOSFET体系的首个款式成品40 mOhm
MSC040SMA120B器件,以至与之相配的1200 V
SiC肖特基势垒晶体管(SBD),进一层扩充旗下增加的SiC分立器件和模块成品组合。

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